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第一七一八章 ASML侵犯专利

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台积电去年7月就向ASmL预定了20台65nm制程工艺的浸没式光刻机(命名为xt1400i浸没式光刻机)的同时,为了赶时间,一条65nm制程工艺半导体生产线的基建工作就开始建设,xt1400i浸没式光刻机原计划今年三月开始生产,8月就能到货,进入设备安装阶段,明年3月就能试生产,只比其他采用65nm制程工艺的bSEc浸没式光刻机半导体生产线晚半年左右。

“浸没原理不是林工2002年在布鲁塞尔举行的157nm微影技术的研讨会提出来的吗?ArF激光器发射的193nm光源通过纯净水的折射,得到了波长134nm的光源,如今大家都知道纯净水作为光源介质的路径,bSEc什么时候申请浸没式光源系统专利的?”

张仲谋面色阴沉,立马认识到了问题的严重性,计划投资18亿美元提前开工的半导体生产线遇到大麻烦了!

国际公司发明专利申请一般需要18个月的时间,一旦bSEc不给ASmL授权,ASmL需要重新寻找新的浸没介质替代纯净水,一年内很难完成研制,等拿到公司发明专利,也许bSEc的40nm浸没式光刻机都研发成功了。

张仲谋心里明白,等林本坚和ASmL发现bSEc申请了纯净水作为浸没介质的专利已经来不及了,只能硬着头皮继续研究,等有结果后再说。

(本章完)



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